最近有没有什么值得入的32GU盘

negation · 发表于 2013-7-15 00:05

pingqq 发表于 2013-7-14 23:17

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买两个萤火虫叠焊，合计32G，换灯，加写保护开关。够折腾够爽

叠起来速度有小小提升，只是小巧，换个黄绿更像萤火虫了，换个蓝色或者紫色就更骚了。不过如果还要折腾写保护这个壳子就……不如直接拆了上1167

黄土高坡 · 发表于 2013-7-15 00:11

现在至少要买64G的吧

pingqq · 发表于 2013-7-15 01:52

negation 发表于 2013-7-15 00:05

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叠起来速度有小小提升，只是小巧，换个黄绿更像萤火虫了，换个蓝色或者紫色就更骚了。不过如果还要折腾写 ...

最近成果，换灯双贴32G，写保护萤火虫。看图吧

tcbgs · 发表于 2013-7-15 02:16

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自强同学 · 发表于 2013-7-15 08:30

就是冲闪迪去的，不是说慢点的才稳定，我还不至于那么笨，呵呵

pingqq · 发表于 2013-7-15 08:53

tcbgs 发表于 2013-7-15 02:16
信口雌黄，这款u盘我都用了两年多，每天擦写两次，上班带资料到办公室，下班带资料回家。到今天都快1500次 ...

Tlc最好的1000PE(PE是擦写次数)，差的很难说，几百PE都有，MLC 10000PE，SLC 100000PE。但随着制程的减少，PE数都在减少。萤火虫16G 34nm MLC PE数为3000。这个擦写不是说每天擦写的次数，是闪存每个存储单元的擦写次数。假如你一个月才把整个u盘存满数据，那么每个存储单元才写了一次，每个单元的PE减少1，到PE
数为0，u盘完蛋。因为你每天不是擦写同一闪存单元，所以现在u盘还能用

wangili999 · 发表于 2013-7-15 10:28

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negation · 发表于 2013-7-15 11:09

tcbgs 发表于 2013-7-15 02:16

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信口雌黄，这款u盘我都用了两年多，每天擦写两次，上班带资料到办公室，下班带资料回家。到今天都快1500次 ...

我说的全盘擦写→_→不是说擦写一点算一次，静态磨损均衡算法之下，你对这个盘重复写入1G数据，32乘以500以内不会有问题，再加上1G多的替换块，还可以再增多一千以上

negation · 发表于 2013-7-15 11:21

本帖最后由 negation 于 2013-7-15 11:26 编辑

pingqq 发表于 2013-7-15 08:53

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Tlc最好的1000PE(PE是擦写次数)，差的很难说，几百PE都有，MLC 10000PE，SLC 100000PE。但随着制程的减少 ...

MT29F128G08CFAAA是25nm的，记得是属于L73A，美光给的pdf里面说是2500～3500P/E。但是JS29F16B08CAMME2英特尔却给了5000，此前也就34nm的mlc给的是5000啊→_→都是一个厂子出来的→_→而这个P/E也只是一个估算值，有的单元差点还没达到就完蛋了，有的单元过了不少依旧坚挺，但是大部分单元完蛋都是在接近P/E到期的时候完蛋。干簧管加磁铁做写保护开关也是一个不错的主意。对了，你的LED哪里搞的

watson5240 · 发表于 2013-7-15 11:24

赤色要塞发表于 2013-7-14 17:11
cz80太贵了，我的笔记本只有2.0的接口，太浪费

加扩展卡，扩展成3.0

watson5240 · 发表于 2013-7-15 11:26

赤色要塞发表于 2013-7-14 17:11
cz80太贵了，我的笔记本只有2.0的接口，太浪费

加扩展卡，扩展成3.0

tcbgs · 发表于 2013-7-15 13:10

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tcbgs · 发表于 2013-7-15 13:20

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tcbgs · 发表于 2013-7-15 13:25

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pingqq · 发表于 2013-7-15 13:28

negation 发表于 2013-7-15 11:21

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MT29F128G08CFAAA是25nm的，记得是属于L73A，美光给的pdf里面说是2500～3500P/E。但是JS29F16B08CAMME2英 ...

可能记错了，那应该是25nm，
led随便一搜大把，亿光翠绿

站在天空之城 · 发表于 2013-7-15 14:18

看看

topjim · 发表于 2013-7-15 14:25

萤火虫两个
外加一个ssk的usb3.0 优盘速度杠杠的

chiayanan · 发表于 2013-7-15 15:29

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hyyan2008 · 发表于 2013-7-15 15:39

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negation · 发表于 2013-7-15 21:38

本帖最后由 negation 于 2013-7-15 21:50 编辑

tcbgs 发表于 2013-7-15 13:10

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什么叫全盘擦写我比你清楚，4g的盘我每次都写入3.5g以上。还静态磨损均衡算法，你当是ssd啊？u盘用的单片 ...

P/E操作数较低时，数据保存期很长，每次P/E操作由于有电子穿过浮置栅的绝缘层，绝缘层会有一定的损耗，绝缘性能下降，漏电增大，数据保存期限缩短。
P/E寿命的定义里面有一个就是数据保存期限的长短（就是数据能保存多长时间的单元为有效，比方说能保存三年不出错为有效），如果你只需要数据保存很短的时间，那么P/E几乎呈指数增长。
比方说美光M4，用的MT29F64G08CFACB，这个Flash美光在规格书里描述的是2500～3500P/E，刷上3000次，放一年以上数据还在。实际可以全盘擦写上10万次不出问题，但是在全盘擦写10万次之后，掉电两天，不认盘了。
以前50nm甚至120nm以上的SLC的10万次P/E是以P/E到期后还能保存十年的标准计算的呦～
而现在MLC还有TLC的P/E计算，已经是五年以下了。
这个P/E寿命表示的是P/E操作达到多少之后单元的可靠性达不到标准，也就是你这个标准定得越低，定义的寿命越长。
如果能固定每天擦写一次，那么在超过P/E寿命几倍之后仍能正常工作（寿命呈指数增长），因为目前计算最短的周期是六个月不掉数据（工业产品，民用产品是大于一年的）。
至于速度，东芝的部分TLC已经把不少MLC比下去了。

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