MOS可否直接并联使用？

taotaoliu · 发表于 2010-9-17 17:38

本来俺想说不行的,不过看到高手都说行了，那也只能说行

fdn86 · 发表于 2010-9-17 17:57

本来俺想说不行的,不过看到高手都说行了，那也只能说行
taotaoliu 发表于 2010-9-17 17:38

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本来俺猜行的，但是贴片白菜的板子经不起多次折腾，那也只好先请教一下{:1_246:}

Hzy73 · 发表于 2010-9-17 18:03

MOSFET的导通电阻是正温度系数，可以并联使用。

laomao0000 · 发表于 2010-9-18 21:39

严重感谢。
不仅是“同批次”啦，根本就是封装在同一个SO8结构中。
fdn86 发表于 2010-9-17 17:00

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实际上我估计两个MOS根本就是坐在一块硅片上的

fuj222 · 发表于 2010-9-29 19:04

本帖最后由 fuj222 于 2010-9-29 19:08 编辑

两个MOS的G极不能直接并，各串一个十几欧电阻隔开
Catch0(09-29-19-08-07).jpg

qdliuji · 发表于 2010-9-29 19:19

两个MOS的G极不能直接并，各串一个十几欧电阻隔开
382152
fuj222 发表于 2010-9-29 19:04

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高开关频率下使用有讲究的，低频可以无视。

zhengxin · 发表于 2010-9-29 19:37

可以并联， UPS里的驱动MOS十多个并联也没见有问题

fdn86 · 发表于 2010-9-29 19:51

感谢各位提供的新信息，国庆期间俺把它并了。一个片子才卖0.36，挂了也没损失。

w99991888 · 发表于 2010-10-12 20:33

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