Prophet 发表于 2008-11-18 15:38

碳化硅衬底是靠升华沉积产生的。能耗非常高。
如果整个GaInN层连同碳化硅衬底达到100um厚度，成本可想而知将非常高。
由于LED PN结一般也就100nm左右厚度。GaInN层只需要几个um 厚度就够了。
因此EZ 系列芯片总共100um 左右的厚度。表面3um是GaInN层。剩下的是硅片。否则3um的GaInN层 太单薄易碎。(:lol:)
EZ 系列芯片 下表面是硅片表面，接正极。其表面有金锡焊料。便于封装时焊接。
上表面有金丝焊盘，接负极并且出光。

Prophet 发表于 2008-11-18 15:43

回复 18楼 光明行 的帖子

劝你找些专业点的资料学习。别自以为是想当然。本身LED涉及多方面。

colourwp 发表于 2008-11-18 19:41

LED不就是二极管吗?会发光的而已...(:49:)

光明行 发表于 2008-11-18 21:32

原帖由 Prophet 于 2008-11-18 15:43 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
劝你找些专业点的资料学习。别自以为是想当然。本身LED涉及多方面。

哦，这没什么。我本来也不是这行的，更专业的资料没注意过吧，我去找找看。

按你所说，那么下衬的硅片也同时连接正负电极了吗？

Prophet 发表于 2008-11-18 21:56

回复 24楼 光明行 的帖子

错。你还没有看明白我写的意思。

是芯片下面的那个硅片是个双向稳压管。和Cree芯片并联。

由于LED PN结一般也就100nm左右厚度。GaInN层只需要几个um 厚度就够了。
因此EZ 系列芯片总共100um 左右的厚度。表面3um是GaInN层。剩下的是硅片。否则3um的GaInN层 太单薄易碎。这个硅片起到支撑作用。

说实话，我的工作和电子方面根本不沾边。搞这些纯属个人爱好。(:loveliness:)
关于大功率LED的资料都从网上得来。

说实话，论坛里新手有些问题让LED 、激光行业内的业界人士不屑于回答。(:lol:)我作为爱好者有时间给大家解答。

[ 本帖最后由 Prophet 于 2008-11-18 22:00 编辑 ]
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